본 글은 고려대학교 화공생명공학과 하정숙 교수님의 강의록을 참고하였으므로,
이를 상업적으로 이용하면 안되며, 글을 가져가실 때는 꼭 출처와 댓글을 남겨주시기 바랍니다.
chapter 1. Introduction & Surface
1. Subject of surface science
Study mechanical, electronic, and chemical properties of surfaces via investigating the chemical composition and atomic arrangement
이렇단다... 음 일단 원자배열의 화학적 조성을 조사 → 성분,성질들이 어떻게 달라지는지에 대한 학문이라고 생각한다.
2. What is surface? (vs bulk solid)
- 특정 면에 따라 자른 면이라고 생각하자.
- solid의 상단의 원자 layer들을 말한다.
- 3 different kinds of surfaces : 110, 100, 111

2-1) Bulk exposed plane

- surface 위치 = bulk의 전체적인 위치, 동일하다.
- Z-direction으로 주기성이 없어짐 : 전자적인 구조를 바꾼다.
- dangling bond가 형성 : 이 부분에서 dangling bond가 chemical reaction을 일으킨다. (다른 atom과 bond를 형성할 수 있다.)
2-2) Relaxtion

- x-y plane은 동일하지만, z축이 변한다.
- selvedge : surface region a_r 만큼 떠있어서, z길이가 bulk 보다 긴 길이를 가지는 것을 말한다.
2-3) Reconstruction

- bulk solid와 완전히 다른 symmetry를 하고 있는 structure로 surface atom들이 재배열한다.
- reconstruction의 결과 : atomic vibration, chemical or optical eletronic 행동.
3. Importance of Surface
내 생각에는 이 부분이 제일 중요하다. 우리가 과연 surface를 왜 배우는지!!

- Bulk 와 다른 특징을 가지는 것!!
- 모든 과정, process들은 표면에서부터 출발한다.
- surface의 Dangling bond :
- 정의 : chemical bond를 할 수 있는 bond 로써, solid의 z축 방향으로 남는 잉여의 bond이다.
- 역할 : gas 분자들이 chemical reaction을 하도록 도와주는 역할을 한다.
- 응용 :
- nano-processing
- heterogeneous catalysis : 우리가 실제로 쓰는 모든 촉매들은 heterogeneous 다. (분리가 쉽기 때문)
- corrosion
- semiconductor (etching, passivation : dangling bond에 H를 주어 반응성을 떨어뜨려 불활성화 시킨다, epitaxial growth : 똑같은 symmetry로 성장하는 것.)
4. Need for UHV (ultra-high vacuum)
UHV는 표면의 불순물을 없애기 위해 꼭 필요한 환경이다.
ns = ¼Ngυ=Ng(RT/2πM)½ // 3.5∗1022P/(MT)½[cm−2s−1]
ns : 1초에 1cm−2에 부딪히는 gas의 수
Ng : 단위부피당 gas의 수 (압력이라고 생각하면 좋다. Ng가 크면 ns도 크다.)
υ : gas의 열역학적 평균 속도
1초에 1cm−2에 부딪히는 gas의 수 = 단위부피당 gas의 + 열역학적 평균속도에 비례한다.
따라서 P, 압력을 낮추면 UHV 조건으로 되어서 표면에 불순물이 없어진다.
4-1) Example
- 1 ~ 2∗1015atoms/cm2 : 한 mononlayer의 구성
- sticking coef : (표면에 달라붙는 속도) / (gas or liquid이 surface에 충돌속도)
RT에서 N2 분자는 ns ~ 1/3∗106∗P (monolayer/s), 이고 τc, coverage time은 (3∗10−6/P) sec
- P=10−6 Torr 일 때는 monolayer를 덮는데 3초가 소요된다.
- P=8.3∗10−10 Torr 일 때는, monolayer를 덮는데 1hr 가 소요된다.
- P<10−9 Torr, to get experimental time > 1 hr
- UHV: 10-9 ~ 10-11 Torr , HV: 10-5 ~ 10-8 Torr
4-2) Mean Free Path

MFP : particle (electron, photon, atom, molecule 등) 입자들 간에 평균거리를 의미한다.
4-3) Vacuum
사진
- 압력이 낮을수록 MFP가 길어진다 : 자유분방하게 움직이는 거리가 길어진다. 또한 collision이 적어지고 molecule이 surface에 부딪히는 수도 줄어든다.
5. How to make UHV ?
5-1) Vacuum chamber-low outgassing

- Vacuum chamber (스테인리스)에 붙어있는 gas들을 서서히 빼낸다.
- Conflat flange에 Cu, Au , In 같은 gasket을 낀다. 이는 연성을 가지고 있어 sealing이 된다.
5-2) Pumping



- gas들을 빼내는 역할을 한다.
5-3) Materials inside vacuum chamber
- Sample을 고정하는 holder가 있다. sample을 열적으로 가열할 수 있다.
- SS, Mo, Ta : High Vapor Pressure를 피한다
- Cu : 높은 전기전도성을 가진다.
5-4) Baking at high temperature
- 온도를 올려서 surface의 기체를 빼낸다.
6. Prepartation of automatically clearn sample surfaces
어떻게 보면 이 부분은 공정에서 굉장히 중요한 부분이다.
6-1) Outgassing in UHV
100 faces of Alkali Halide : NaCl, LiF, NaF, KCl
6-2) High temperature heating near Tm (melting point)
-
O, C, S를 제거한다.
-
Si(100), Si(111) : UHV에서도 O, C, S 는 잘 안 떨어져서 가열해줘서 제거한다.
6-3) High temperature heating in gases
- surface 에서 C를 CO2로 바꾼다.
- H2를 함께 넣어주어 Oxide를 reduction 시킨다.
6-4) Noble gas bombardment (Ar+, Ne+)
- surface에 이온들을 던져줌으로써 표면의 분자들을 부딪히게 해서 gas로 만드는 방법.
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